分子束外延 mbe 是一种晶体生长技术, 首先将待成长的芯片放置在真空腔体中(~10-10torr), 和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中, 当炉温升至一定温度时, 炉中的材料会以原子束或分子束的形式蒸发出来, 此时基板也被加热至一适当的温度, 分子束射至基板时, 就会与基板表面的原子结合而生长出极薄的, 可薄至单原子层水平, 单晶体和几种物质交替的超晶格结构.
分子束外延 mbe系统需要在真空环境中进行, 对真空度要求及其高, 真空可到 2×10-10 torr, 同时需要分子泵低振动, 低噪音, 清洁无油真空的稳定性已晶格的生长和后期的探测分析.
分子束外延设备在生长二维材料以及拓扑材料, 氧化物方面都有性能. 例如:gaas/ inp和gasb外延, hgcdte外延/ gan/ inn和aln外延/ ⅱ-ⅵ族外延/ sige外延/ si/金属/氧化物外延等
某真空系统集成商搭建的mbe设备, 由用户方采购 pfeiffer 真空泵 hipace 系列涡轮分子泵和 acp干泵用于分子束外延系统,
可以生长小样品及6“样品 sic及 pbn钨丝等加热元件, 温度可以加到900度, 如果两寸以上样品可以到1100度.
腔体采有ss316材质, 真空可达到10-10torr, 使用伯东 pfeiffer 真空泵 hipace分子泵及配合使用其他品牌离子泵, 可配备晶振, 束流器, 高能电子枪以及监控软件.
可配备固体源/ 气体源/ald阀/ 等离子体增强型束源炉及电子回旋共振束源炉
标准rheed系统(实时外延监测)
自动化控制软件
分子束外延真空系统用伯东 pfeiffer 真空泵分子泵
接口: dn 160 cf-f
真空: < 5x10-10 mbar
氮气压缩比: >; 1x1011
抽速@n
接口: dn25 iso-kf
抽速: 27m3/h
f: +86-21-5046-1490
m: +86 152-0195-1076
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关键词: 氦质谱检漏仪 - 质谱仪 - 涡轮分子泵 - 旋片真空泵 - 真空计