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上海伯东kri离子源在半导体材料中的预清洗及刻蚀应用

发布单位:伯东企业(上海)有限公司  发布时间:2023-11-28  113.90.157.*





半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在1mΩ·cm1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光导纤维、电子工业的重要部件、光学仪器、工艺品和耐火材料的原料,是科学研究的重要材料。

 

本文主要介绍上海伯东KRI离子源在半导体材料SiO2中的预清洗及刻蚀应用。

 

SiO2预清洗的原因:

SiO2在刻蚀前需要将其表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层等去除,且不破坏晶体的表面特性。

 

KRI离子源在SiO2基片预清洗方法:

客户自己搭建真空系统,集成离子源,具体做法如下。
1.SiO2基片放进真空系统,调整离子源;
2.抽取真空到某真空度后,启动离子源;
3.利用离子源释放的能量对SiO2基片进行轰击;

 

KRI离子源在SiO2材料预清洗客户案例:

成都某工艺研究所,通过伯东购买离子源KDC40



 

 

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